Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - сингл > GT50N322A
GT50N322A Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

GT50N322A

Номер детали производителя GT50N322A
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN IC
Упаковка TO-3P(N)
В наличии 33641 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 50 100 250 450 950 2400
$1.955 $1.754 $1.659 $1.437 $1.364 $1.224 $1.032 $0.98
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 33641 Toshiba Semiconductor and Storage GT50N322A в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1000 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.8V @ 15V, 60A
режим для испытаний -
Td (вкл / выкл) при 25 ° C -
Переключение энергии -
Поставщик Упаковка устройства TO-3P(N)
Серии -
Обратное время восстановления (ТИР) 800 ns
Мощность - Макс 156 W
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / TO-3P-3, SC-65-3
Упаковка Tray
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Тип ввода Standard
Тип IGBT -
Ток - Коллектор Импульсные (ICM) 120 A
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 50 A

Рекомендуемые продукты

GT50N322A DataSheet PDF