GT52N10D5I
| Номер детали производителя | GT52N10D5I |
|---|---|
| производитель | Goford Semiconductor |
| Подробное описание | N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V |
| Упаковка | 8-DFN (4.9x5.75) |
| В наличии | 332364 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 5000 |
|---|
| $0.14 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Goford Semiconductor.У нас есть кусочки 332364 Goford Semiconductor GT52N10D5I в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | 8-DFN (4.9x5.75) |
| Серии | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 20A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 79W (Tc) |
| Упаковка / | 8-PowerTDFN |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2428 pF @ 50 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 65A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
GT5B-1PP-HU(70)
CONN HOUSING FOR M TERMINALSHirose Electric Co Ltd -
GT55N06D5
N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@Goford Semiconductor -
GT502F1K
THERMISTOR NTC 5KOHM 3499K BEADLittelfuse Inc. -
GT52N10T
N100V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<15MGoford Semiconductor -
GT50JR21(STA1,E,S)
PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OSToshiba Semiconductor and Storage -
GT503J1K
THERMISTOR NTC 50KOHM 3977K BEADLittelfuse Inc. -
GT50J121(Q)
IGBT 600V 50A 240W TO3P LHToshiba Semiconductor and Storage -
GT5B-1PP-HU(72)
CONN HOUSING FOR M TERMINALSHirose Electric Co Ltd -
GT50J341,Q
PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN ICToshiba Semiconductor and Storage -
GT5E-1P-DS(70)
CONN COAX RCPT R/A 50 OHM PCBHirose Electric Co Ltd -
GT5A-1PP-HU(70)
CONN HOUSING FOR M TERMINALSHirose Electric Co Ltd -
GT5EC-1P-DS
CONN PIN HEADER PCB R/AHirose Electric Co Ltd -
GT50JR22(STA1,E,S)
PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OSToshiba Semiconductor and Storage -
GT52N10D5
N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1Goford Semiconductor -
GT5-4S-HU
CONN HOUSING FOR F TERMINALSHirose Electric Co Ltd -
GT50N322A
PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN ICToshiba Semiconductor and Storage -
GT5EC-1P-DS(71)
CONN COAX RCPT R/A 50 OHM PCBHirose Electric Co Ltd -
GT5E-1P-DS(71)
CONN COAX RCPT R/A 50 OHM PCBHirose Electric Co Ltd -
GT5C-1P-CSB(70)
CONN TOP SHIELD COVER FOR M TERMHirose Electric Co Ltd -
GT5-4P/S-R
CONN RETAINER FOR GT5 HOUSINGSHirose Electric Co Ltd