Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - сингл > GT50J121(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT50J121(Q)

Номер детали производителя GT50J121(Q)
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
Упаковка TO-3P(LH)
В наличии 4486 pcs
Техническая спецификация EOL 08/Nov/2013
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 4486 Toshiba Semiconductor and Storage GT50J121(Q) в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 600 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.45V @ 15V, 50A
режим для испытаний 300V, 50A, 13Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C 90ns/300ns
Переключение энергии 1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
Поставщик Упаковка устройства TO-3P(LH)
Серии -
Мощность - Макс 240 W
Упаковка / TO-3PL
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка Tube
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Тип ввода Standard
Тип IGBT -
Ток - Коллектор Импульсные (ICM) 100 A
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 50 A
Базовый номер продукта GT50J121

Рекомендуемые продукты

GT50J121(Q) DataSheet PDF

Техническая спецификация