Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - сингл > GT50JR22(STA1,E,S)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT50JR22(STA1,E,S)

Номер детали производителя GT50JR22(STA1,E,S)
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS
Упаковка TO-3P(N)
В наличии 49245 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$1.706 $1.534 $1.256 $1.069 $0.902 $0.857
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 49245 Toshiba Semiconductor and Storage GT50JR22(STA1,E,S) в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 600 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.2V @ 15V, 50A
режим для испытаний -
Td (вкл / выкл) при 25 ° C -
Переключение энергии -
Поставщик Упаковка устройства TO-3P(N)
Серии -
Мощность - Макс 230 W
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / TO-3P-3, SC-65-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура 175°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Тип ввода Standard
Тип IGBT -
Ток - Коллектор Импульсные (ICM) 100 A
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 50 A

Рекомендуемые продукты

GT50JR22(STA1,E,S) DataSheet PDF