Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > STI30NM60N
STI30NM60N Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

STI30NM60N

Номер детали производителя STI30NM60N
производитель STMicroelectronics
Подробное описание MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
Упаковка I2PAK (TO-262)
В наличии 4599 pcs
Техническая спецификация STx30NM60N
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 4599 STMicroelectronics STI30NM60N в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства I2PAK (TO-262)
Серии MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 12.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 190W (Tc)
Упаковка / TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Упаковка Tube
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2700 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 91 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 25A (Tc)
Базовый номер продукта STI30N

Рекомендуемые продукты

STI30NM60N DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для STI30NM60N

Связанные детали для STI30NM60N