Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > STI21N65M5
STI21N65M5 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

STI21N65M5

Номер детали производителя STI21N65M5
производитель STMicroelectronics
Подробное описание MOSFET N-CH 650V 17A I2PAK
Упаковка I2PAK
В наличии 39298 pcs
Техническая спецификация Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013STx21N65M5
Справочная цена (В долларах США)
1000
$0.865
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 39298 STMicroelectronics STI21N65M5 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±25V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства I2PAK
Серии MDmesh™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 179mOhm @ 8.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 125W (Tc)
Упаковка / TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Упаковка Tube
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1950 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 17A (Tc)
Базовый номер продукта STI21

Рекомендуемые продукты

STI21N65M5 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для STI21N65M5

Связанные детали для STI21N65M5