Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > STI6N80K5
STI6N80K5 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

STI6N80K5

Номер детали производителя STI6N80K5
производитель STMicroelectronics
Подробное описание MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK
Упаковка I2PAK (TO-262)
В наличии 4472 pcs
Техническая спецификация DK OBS NOTICEMult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019IPD/15/9124 20/Mar/2015ST(B,D,I,P)6N80K5
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 4472 STMicroelectronics STI6N80K5 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 100µA
Vgs (макс.) 30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства I2PAK (TO-262)
Серии SuperMESH5™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 2A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 85W (Tc)
Упаковка / TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 255 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 800 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4.5A (Tc)
Базовый номер продукта STI6

Рекомендуемые продукты

STI6N80K5 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для STI6N80K5

Связанные детали для STI6N80K5