Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > STI200N6F3
STI200N6F3 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

STI200N6F3

Номер детали производителя STI200N6F3
производитель STMicroelectronics
Подробное описание MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Упаковка I2PAK (TO-262)
В наличии 6527 pcs
Техническая спецификация STx200N6F3
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 6527 STMicroelectronics STI200N6F3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства I2PAK (TO-262)
Серии STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 60A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 330W (Tc)
Упаковка / TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 6265 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 101 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 120A (Tc)
Базовый номер продукта STI200N

Рекомендуемые продукты

STI200N6F3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для STI200N6F3

Связанные детали для STI200N6F3