SCTWA35N65G2V-4
| Номер детали производителя | SCTWA35N65G2V-4 |
|---|---|
| производитель | STMicroelectronics |
| Подробное описание | DISCRETE |
| Упаковка | TO-247-4 |
| В наличии | 6089 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $7.948 | $7.303 | $6.168 | $5.487 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 6089 STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Vgs (макс.) | +18V, -5V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-247-4 |
| Серии | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 20A, 20V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 240W (Tc) |
| Упаковка / | TO-247-4 |
| Упаковка | Bulk |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Through Hole |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1370 pF @ 400 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 73 nC @ 20 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 18V, 20V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 650 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 45A (Tc) |
| Базовый номер продукта | SCTWA35 |
Рекомендуемые продукты
-
SCTW90N65G2V
SICFET N-CH 650V 90A HIP247STMicroelectronics -
SCTWA30N120
IC POWER MOSFET 1200V HIP247STMicroelectronics -
SCTW40N120G2VAG
SICFET N-CH 1200V 33A HIP247STMicroelectronics -
SCTWA10N120
IC POWER MOSFET 1200V HIP247STMicroelectronics -
SCTWA70N120G2V-4
DISCRETESTMicroelectronics -
SCTWA90N65G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650STMicroelectronics -
SCTW100N65G2AG
SICFET N-CH 650V 100A HIP247STMicroelectronics -
SCTW60N120G2
DISCRETESTMicroelectronics -
SCTWA35N65G2V
TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247STMicroelectronics -
SCTWA35N65G2VAG
SICFET N-CH 650V 45A TO247STMicroelectronics -
SCTWA20N120
IC POWER MOSFET 1200V HIP247STMicroelectronics -
SCTWA50N120
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247STMicroelectronics -
SCTWA90N65G2V-4
TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247STMicroelectronics -
SCTW40N120G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120STMicroelectronics -
SCTWA40N120G2V-4
DISCRETESTMicroelectronics -
SCTWA60N120G2-4
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120STMicroelectronics -
SCTW70N120G2V
TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247STMicroelectronics -
SCTWA40N120G2V
DISCRETESTMicroelectronics -
SCTW35N65G2V
SICFET N-CH 650V 45A HIP247STMicroelectronics -
SCTW35N65G2VAG
SICFET N-CH 650V 45A HIP247STMicroelectronics