SCTW90N65G2V
| Номер детали производителя | SCTW90N65G2V |
|---|---|
| производитель | STMicroelectronics |
| Подробное описание | SICFET N-CH 650V 90A HIP247 |
| Упаковка | HiP247™ |
| В наличии | 3435 pcs |
| Техническая спецификация | Lead Frame Base Material 20/Dec/2021SCTx/Hx/Wx 16/Jun/2022SCTW90N65G2V |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $14.257 | $13.149 | $11.229 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 3435 STMicroelectronics SCTW90N65G2V в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | +22V, -10V |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Поставщик Упаковка устройства | HiP247™ |
| Серии | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 50A, 18V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 390W (Tc) |
| Упаковка / | TO-247-3 |
| Упаковка | Tube |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Through Hole |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3300 pF @ 400 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 157 nC @ 18 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 650 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 90A (Tc) |
| Базовый номер продукта | SCTW90 |
Рекомендуемые продукты
-
SCTWA60N120G2-4
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120STMicroelectronics -
SCTWA35N65G2VAG
SICFET N-CH 650V 45A TO247STMicroelectronics -
SCTW60N120G2
DISCRETESTMicroelectronics -
SCTW35N65G2VAG
SICFET N-CH 650V 45A HIP247STMicroelectronics -
SCTWA50N120
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247STMicroelectronics -
SCTL55
IO LINK SMART CONFIGURATORCarlo Gavazzi Inc. -
SCTW40N120G2VAG
SICFET N-CH 1200V 33A HIP247STMicroelectronics -
SCTL90N65G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650STMicroelectronics -
SCTW100N65G2AG
SICFET N-CH 650V 100A HIP247STMicroelectronics -
SCTW70N120G2V
TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247STMicroelectronics -
SCTW40N120G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120STMicroelectronics -
SCTWA35N65G2V
TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247STMicroelectronics -
SCTWA10N120
IC POWER MOSFET 1200V HIP247STMicroelectronics -
SCTWA40N120G2V-4
DISCRETESTMicroelectronics -
SCTWA20N120
IC POWER MOSFET 1200V HIP247STMicroelectronics -
SCTL35N65G2V
TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HVSTMicroelectronics -
SCTW35N65G2V
SICFET N-CH 650V 45A HIP247STMicroelectronics -
SCTWA40N120G2V
DISCRETESTMicroelectronics -
SCTWA30N120
IC POWER MOSFET 1200V HIP247STMicroelectronics -
SCTWA35N65G2V-4
DISCRETESTMicroelectronics