Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SCTL35N65G2V
STMicroelectronics

SCTL35N65G2V

Номер детали производителя SCTL35N65G2V
производитель STMicroelectronics
Подробное описание TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
Упаковка PowerFlat™ (8x8) HV
В наличии 6783 pcs
Техническая спецификация SCTL35N65G2V
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500
$7.529 $6.919 $5.844 $5.198
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 6783 STMicroelectronics SCTL35N65G2V в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Vgs (макс.) +22V, -10V
Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Упаковка устройства PowerFlat™ (8x8) HV
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 67mOhm @ 20A, 20V
Рассеиваемая мощность (макс) 417W (Tc)
Упаковка / 8-PowerVDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1370 pF @ 400 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 73 nC @ 20 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 40A (Tc)
Базовый номер продукта SCTL35

Рекомендуемые продукты

SCTL35N65G2V DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SCTL35N65G2V

Связанные детали для SCTL35N65G2V