Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SCTW35N65G2V

Номер детали производителя	SCTW35N65G2V
производитель	STMicroelectronics
Подробное описание	SICFET N-CH 650V 45A HIP247
Упаковка	HiP247™
В наличии	7977 pcs
Техническая спецификация	Lead Frame Base Material 20/Dec/2021 SCTx/Hx/Wx 16/Jun/2022 SCTW35N65G2V

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500
$6.801	$6.249	$5.278	$4.695

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 7977 STMicroelectronics SCTW35N65G2V в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Vgs (макс.)	+22V, -10V
Технологии	SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Упаковка устройства	HiP247™
Серии	Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs	67mOhm @ 20A, 20V
Рассеиваемая мощность (макс)	240W (Tc)
Упаковка /	TO-247-3
Упаковка	Tube
Рабочая Температура	-55°C ~ 200°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	1370 pF @ 400 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	73 nC @ 20 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	18V, 20V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	45A (Tc)
Базовый номер продукта	SCTW35