Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

PHD38N02LT,118

Номер детали производителя	PHD38N02LT,118
производитель	Nexperia USA Inc.
Подробное описание	MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK
Упаковка	DPAK
В наличии	6201 pcs
Техническая спецификация	PHD38N02LT Label Chg 12/Mar/2017 Mult Dev 31/Dec/2019 All Dev Label Chgs 2/Aug/2020

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Nexperia USA Inc..У нас есть кусочки 6201 Nexperia USA Inc. PHD38N02LT,118 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Vgs (макс.)	±12V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	DPAK
Серии	TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16mOhm @ 25A, 5V
Рассеиваемая мощность (макс)	57.6W (Tc)
Упаковка /	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	800 pF @ 20 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	15.1 nC @ 5 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	44.7A (Tc)
Базовый номер продукта	PHD38N02