Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

PHD22NQ20T,118

Номер детали производителя	PHD22NQ20T,118
производитель	NXP Semiconductors / Freescale
Подробное описание	MOSFET N-CH 200V 21.1A DPAK
Упаковка	DPAK
В наличии	4575 pcs
Техническая спецификация	PHD22NQ20T

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии NXP Semiconductors / Freescale.У нас есть кусочки 4575 NXP Semiconductors / Freescale PHD22NQ20T,118 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	DPAK
Серии	TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 12A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	150W (Tc)
упаковка	Tape & Reel (TR)
Упаковка /	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Другие названия	934058112118 PHD22NQ20T /T3 PHD22NQ20T /T3-ND
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)	1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	1380pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	30.8nC @ 10V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	200V
Подробное описание	N-Channel 200V 21.1A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount DPAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	21.1A (Tc)