Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

PHD34NQ10T,118

Номер детали производителя	PHD34NQ10T,118
производитель	NXP Semiconductors / Freescale
Подробное описание	MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Упаковка	DPAK
В наличии	5612 pcs
Техническая спецификация

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии NXP Semiconductors / Freescale.У нас есть кусочки 5612 NXP Semiconductors / Freescale PHD34NQ10T,118 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	DPAK
Серии	TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 17A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	136W (Tc)
упаковка	Tape & Reel (TR)
Упаковка /	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Другие названия	934055807118 PHD34NQ10T /T3 PHD34NQ10T /T3-ND
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)	1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	1704pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	40nC @ 10V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	100V
Подробное описание	N-Channel 100V 35A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount DPAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	35A (Tc)