Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

PHD21N06LT,118

Номер детали производителя	PHD21N06LT,118
производитель	NXP Semiconductors / Freescale
Подробное описание	MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Упаковка	DPAK
В наличии	4496 pcs
Техническая спецификация	PHB,PHD,PHP21N06LT

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии NXP Semiconductors / Freescale.У нас есть кусочки 4496 NXP Semiconductors / Freescale PHD21N06LT,118 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Vgs (макс.)	±15V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	DPAK
Серии	TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	56W (Tc)
упаковка	Tape & Reel (TR)
Упаковка /	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Другие названия	934055349118 PHD21N06LT /T3 PHD21N06LT /T3-ND
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)	1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	650pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	9.4nC @ 5V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	55V
Подробное описание	N-Channel 55V 19A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount DPAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	19A (Tc)