Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > MSCSM120HM31TBL2NG
Microchip Technology

MSCSM120HM31TBL2NG

Номер детали производителя MSCSM120HM31TBL2NG
производитель Microchip Technology
Подробное описание PM-MOSFET-SIC-BL2
Упаковка Module
В наличии 413 pcs
Техническая спецификация Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHSAssembly Site 16/Feb/2023MSCSM120HM31TBL2NG
Справочная цена (В долларах США)
1
$100.862
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Microchip Technology.У нас есть кусочки 413 Microchip Technology MSCSM120HM31TBL2NG в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.8V @ 3mA
Технологии Silicon Carbide (SiC)
Поставщик Упаковка устройства -
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 40A, 20V
Мощность - Макс 310W
Упаковка / Module
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3020pF @ 1000V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 232nC @ 20V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 79A
конфигурация 4 N-Channel (Full Bridge)
Базовый номер продукта MSCSM120

Рекомендуемые продукты

MSCSM120HM31TBL2NG DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для MSCSM120HM31TBL2NG

Связанные детали для MSCSM120HM31TBL2NG