Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > MSCSM120HRM311AG
Microchip Technology

MSCSM120HRM311AG

Номер детали производителя MSCSM120HRM311AG
производитель Microchip Technology
Подробное описание PM-MOSFET-SIC- SP1F
Упаковка Module
В наличии 566 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1
$57.626
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Microchip Technology.У нас есть кусочки 566 Microchip Technology MSCSM120HRM311AG в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.8V @ 3mA, 2.4V @ 4mA
Технологии Silicon Carbide (SiC)
Поставщик Упаковка устройства -
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 40A, 20V, 19mOhm @ 40A, 20V
Мощность - Макс 395W (Tc), 365W (Tc)
Упаковка / Module
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3020pF @ 1000V, 4500pF @ 700V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 232nC @ 20V, 215nC @ 20V
FET Характеристика Silicon Carbide (SiC)
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200V (1.2kV), 700V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 89A (Tc), 124A (Tc)
конфигурация 4 N-Channel (Three Level Inverter)

Рекомендуемые продукты

MSCSM120HRM311AG DataSheet PDF

Ключевые слова для MSCSM120HRM311AG

Связанные детали для MSCSM120HRM311AG