Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > MSCSM120HRM08NG
Microchip Technology

MSCSM120HRM08NG

Номер детали производителя MSCSM120HRM08NG
производитель Microchip Technology
Подробное описание PM-MOSFET-SIC-SP6C
Упаковка Module
В наличии 175 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1
$258.364
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Microchip Technology.У нас есть кусочки 175 Microchip Technology MSCSM120HRM08NG в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.8V @ 12mA, 2.4V @ 8mA
Технологии Silicon Carbide (SiC)
Поставщик Упаковка устройства -
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 160A, 20V, 9.5mOhm @ 80A, 20V
Мощность - Макс 1.253kW (Tc), 613W (Tc)
Упаковка / Module
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 12100pF @ 1000V, 9000pF @ 700V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 928nC @ 20V, 430nC @ 20V
FET Характеристика Silicon Carbide (SiC)
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200V (1.2kV), 700V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 317A (Tc), 227A (Tc)
конфигурация 4 N-Channel (Three Level Inverter)

Рекомендуемые продукты

MSCSM120HRM08NG DataSheet PDF

Ключевые слова для MSCSM120HRM08NG

Связанные детали для MSCSM120HRM08NG