Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > MSCSM120DAM31CTBL1NG
Microchip Technology

MSCSM120DAM31CTBL1NG

Номер детали производителя MSCSM120DAM31CTBL1NG
производитель Microchip Technology
Подробное описание PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
Упаковка Module
В наличии 1258 pcs
Техническая спецификация Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHSAssembly Site 16/Feb/2023MSCSM120DAM31CTBL1NG
Справочная цена (В долларах США)
1 100
$48.211 $36.64
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Microchip Technology.У нас есть кусочки 1258 Microchip Technology MSCSM120DAM31CTBL1NG в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA
Vgs (макс.) +25V, -10V
Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Упаковка устройства -
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 40A, 20V
Рассеиваемая мощность (макс) 310W
Упаковка / Module
Упаковка Bulk
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3020 pF @ 1000 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 232 nC @ 20 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 79A
Базовый номер продукта MSCSM120

Рекомендуемые продукты

MSCSM120DAM31CTBL1NG DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для MSCSM120DAM31CTBL1NG

Связанные детали для MSCSM120DAM31CTBL1NG