DMT12H090LFDF4-7
| Номер детали производителя | DMT12H090LFDF4-7 |
|---|---|
| производитель | Diodes Incorporated |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN |
| Упаковка | X2-DFN2020-6 |
| В наличии | 313698 pcs |
| Техническая спецификация | Diodes Environmental Compliance CertDMT12H090LFDF4 |
Справочная цена (В долларах США)
| 3000 | 6000 | 15000 | 30000 |
|---|---|---|---|
| $0.129 | $0.12 | $0.116 | $0.112 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 313698 Diodes Incorporated DMT12H090LFDF4-7 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±12V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | X2-DFN2020-6 |
| Серии | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 3.5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 900mW (Ta) |
| Упаковка / | 6-PowerXDFN |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 251 pF @ 50 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 115 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 3.4A (Ta) |
| Базовый номер продукта | DMT12 |
Рекомендуемые продукты
-
DMT15H017SK3-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&Diodes Incorporated -
DMT15H017LPS-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5Diodes Incorporated -
DMT10H9M9SPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50Diodes Incorporated -
DMT15H035SCT
MOSFET BVDSS: 101V~250V TO220ABDiodes Incorporated -
DMT15H017LPSW-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5Diodes Incorporated -
DMT1D15K-F
CAP FILM 1500PF 10% 100VDC RADCornell Dubilier Electronics (CDE) -
DMT12H065LFDF-13
MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFNDiodes Incorporated -
DMT12H060LCA9-7
MOSFET BVDSS: 101V~250V X4-DSN15Diodes Incorporated -
DMT12H7M9LPSW-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5Diodes Incorporated -
DMT15H053SK3-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&Diodes Incorporated -
DMT10H9M9SSS-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&RDiodes Incorporated -
DMT15H053SSS-13
MOSFET N-CH 150V 5.2A/15A 8SODiodes Incorporated -
DMT12H060LFDF-7
MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202Diodes Incorporated -
DMT12H7M9SPSW-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5Diodes Incorporated -
DMT12H090LFDF4-13
MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFNDiodes Incorporated -
DMT12H060LFDF-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202Diodes Incorporated -
DMT12H065LFDF-7
MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFNDiodes Incorporated -
DMT12H007SPS-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5Diodes Incorporated -
DMT12H007LPS-13
MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8Diodes Incorporated -
DMT15H067SSS-13
MOSFET N-CH 150V 4.5A/13A 8SODiodes Incorporated