DMT15H017LPS-13
| Номер детали производителя | DMT15H017LPS-13 |
|---|---|
| производитель | Diodes Incorporated |
| Подробное описание | MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5 |
| Упаковка | PowerDI5060-8 |
| В наличии | 127639 pcs |
| Техническая спецификация | Diodes Environmental Compliance CertDMT15H017LPS |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.603 | $0.539 | $0.42 | $0.347 | $0.274 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Diodes Incorporated.У нас есть кусочки 127639 Diodes Incorporated DMT15H017LPS-13 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PowerDI5060-8 |
| Серии | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.5mOhm @ 20A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 1.3W (Ta) |
| Упаковка / | 8-PowerTDFN |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3369 pF @ 75 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 150 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 9.4A (Ta), 58A (Tc) |
| Базовый номер продукта | DMT15 |
Рекомендуемые продукты
-
DMT12H065LFDF-13
MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFNDiodes Incorporated -
DMT1D1K-F
CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RADCornell Dubilier Electronics (CDE) -
DMT15H053SSS-13
MOSFET N-CH 150V 5.2A/15A 8SODiodes Incorporated -
DMT1D22K
CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RADCornell Dubilier Electronics (CDE) -
DMT1D1K
CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RADCornell Dubilier Electronics (CDE) -
DMT15H053SK3-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&Diodes Incorporated -
DMT12H7M9SPSW-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5Diodes Incorporated -
DMT1D15K-F
CAP FILM 1500PF 10% 100VDC RADCornell Dubilier Electronics (CDE) -
DMT15H017LPSW-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5Diodes Incorporated -
DMT12H065LFDF-7
MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFNDiodes Incorporated -
DMT12H060LCA9-7
MOSFET BVDSS: 101V~250V X4-DSN15Diodes Incorporated -
DMT12H090LFDF4-13
MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFNDiodes Incorporated -
DMT15H035SCT
MOSFET BVDSS: 101V~250V TO220ABDiodes Incorporated -
DMT12H7M9LPSW-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5Diodes Incorporated -
DMT15H017SK3-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&Diodes Incorporated -
DMT12H060LFDF-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202Diodes Incorporated -
DMT12H090LFDF4-7
MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFNDiodes Incorporated -
DMT12H007SPS-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5Diodes Incorporated -
DMT15H067SSS-13
MOSFET N-CH 150V 4.5A/13A 8SODiodes Incorporated -
DMT12H060LFDF-7
MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202Diodes Incorporated