Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > IRFHS9351TR2PBF
Infineon Technologies

IRFHS9351TR2PBF

Номер детали производителя IRFHS9351TR2PBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Упаковка 6-PQFN Dual (2x2)
В наличии 5765 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMultiple Devices 13/Nov/2013Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5765 Infineon Technologies IRFHS9351TR2PBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.4V @ 10µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 6-PQFN Dual (2x2)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 3.1A, 10V
Мощность - Макс 1.4W
Упаковка / 6-PowerVDFN
Упаковка Cut Tape (CT)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 160pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 3.7nC @ 10V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2.3A
конфигурация 2 P-Channel (Dual)
Базовый номер продукта IRFHS9351

Рекомендуемые продукты

IRFHS9351TR2PBF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRFHS9351TR2PBF

Связанные детали для IRFHS9351TR2PBF