Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > IRFH7911TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH7911TR2PBF

Номер детали производителя IRFH7911TR2PBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Упаковка PQFN (5x6)
В наличии 5468 pcs
Техническая спецификация Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013PQFN 5x6 RoHS ComplianceMultiple Devices 13/Nov/2013
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5468 Infineon Technologies IRFH7911TR2PBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PQFN (5x6)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 12A, 10V
Мощность - Макс 2.4W, 3.4W
Упаковка / 18-PowerVQFN
Упаковка Cut Tape (CT)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1060pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 12nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 13A, 28A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта IRFH7911

Рекомендуемые продукты

IRFH7911TR2PBF DataSheet PDF

Техническая спецификация