Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > IRF8910GTRPBF
IRF8910GTRPBF Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IRF8910GTRPBF

Номер детали производителя IRF8910GTRPBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
Упаковка 8-SO
В наличии 6159 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Device EOL 11/May/2016Mult Dev EOL 15/May/2016Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6159 Infineon Technologies IRF8910GTRPBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SO
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.4mOhm @ 10A, 10V
Мощность - Макс 2W
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 960pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 11nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 10A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта IRF89

Рекомендуемые продукты

IRF8910GTRPBF DataSheet PDF

Техническая спецификация