Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRF8707GPBF
IRF8707GPBF Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IRF8707GPBF

Номер детали производителя IRF8707GPBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Упаковка 8-SO
В наличии 5161 pcs
Техническая спецификация IRF8707GPbFBackend Wafer Transfer 23/Oct/2013IR Part Numbering SystemMultiple Devices 25/Apr/2014
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5161 Infineon Technologies IRF8707GPBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SO
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.9mOhm @ 11A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.5W (Ta)
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 760 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 9.3 nC @ 4.5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 11A (Ta)

Рекомендуемые продукты

IRF8707GPBF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRF8707GPBF

Связанные детали для IRF8707GPBF