Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > IRF8910GPBF
IRF8910GPBF Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IRF8910GPBF

Номер детали производителя IRF8910GPBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO
Упаковка 8-SO
В наличии 4356 pcs
Техническая спецификация Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013IR Part Numbering SystemMultiple Devices 25/Apr/2014
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4356 Infineon Technologies IRF8910GPBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SO
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.4mOhm @ 10A, 10V
Мощность - Макс 2W
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 960pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 11nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 10A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта IRF89

Рекомендуемые продукты

IRF8910GPBF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRF8910GPBF

Связанные детали для IRF8910GPBF