Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > IRF8513PBF
IRF8513PBF Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IRF8513PBF

Номер детали производителя IRF8513PBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
Упаковка 8-SO
В наличии 5253 pcs
Техническая спецификация IR Part Numbering SystemMultiple Devices 25/Apr/2014Additional Assembly Site 19/Mar/2014
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5253 Infineon Technologies IRF8513PBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SO
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 8A, 10V
Мощность - Макс 1.5W, 2.4W
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 766pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 8A, 11A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта IRF8513

Рекомендуемые продукты

IRF8513PBF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRF8513PBF

Связанные детали для IRF8513PBF