Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRF6616TR1
Infineon Technologies

IRF6616TR1

Номер детали производителя IRF6616TR1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
Упаковка DIRECTFET™ MX
В наличии 5945 pcs
Техническая спецификация IR Part Numbering System(EP) Parts 25/May/2012IRF6616
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5945 Infineon Technologies IRF6616TR1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства DIRECTFET™ MX
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 19A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Упаковка / DirectFET™ Isometric MX
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3765 pF @ 20 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 19A (Ta), 106A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRF6616TR1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRF6616TR1

Связанные детали для IRF6616TR1