Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRF6607TR1
Infineon Technologies

IRF6607TR1

Номер детали производителя IRF6607TR1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Упаковка DIRECTFET™ MT
В наличии 6474 pcs
Техническая спецификация (EP) Parts 25/May/2012IR Part Numbering SystemIRF6607
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6474 Infineon Technologies IRF6607TR1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Vgs (макс.) ±12V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства DIRECTFET™ MT
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 25A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 3.6W (Ta), 42W (Tc)
Упаковка / DirectFET™ Isometric MT
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 6930 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 75 nC @ 4.5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 7V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 27A (Ta), 94A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRF6607TR1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRF6607TR1

Связанные детали для IRF6607TR1