Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRF6611TR1PBF
Infineon Technologies

IRF6611TR1PBF

Номер детали производителя IRF6611TR1PBF
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Упаковка DIRECTFET™ MX
В наличии 6137 pcs
Техническая спецификация IR Part Numbering SystemDirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013Multiple Devices 20/Dec/2013MSL Update 20/Feb/2014IRF6611(TR)PbF
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6137 Infineon Technologies IRF6611TR1PBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства DIRECTFET™ MX
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 27A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 3.9W (Ta), 89W (Tc)
Упаковка / DirectFET™ Isometric MX
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 4860 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 56 nC @ 4.5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 32A (Ta), 150A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRF6611TR1PBF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRF6611TR1PBF

Связанные детали для IRF6611TR1PBF