Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRF6608TR1
Infineon Technologies

IRF6608TR1

Номер детали производителя IRF6608TR1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Упаковка DIRECTFET™ ST
В наличии 4547 pcs
Техническая спецификация IR Part Numbering System(EP) Parts 25/May/2012DirectFET MOSFET 4Ps ChecklistIRF6608
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4547 Infineon Technologies IRF6608TR1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (макс.) ±12V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства DIRECTFET™ ST
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 13A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Упаковка / DirectFET™ Isometric ST
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2120 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 24 nC @ 4.5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 13A (Ta), 55A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRF6608TR1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRF6608TR1

Связанные детали для IRF6608TR1