IPN50R950CEATMA1
| Номер детали производителя | IPN50R950CEATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223 |
| Упаковка | PG-SOT223 |
| В наличии | 327560 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Mark Chg 12/Aug/2021 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.235 | $0.207 | $0.159 | $0.125 | $0.1 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 327560 Infineon Technologies IPN50R950CEATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-SOT223 |
| Серии | CoolMOS™ CE |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 1.2A, 13V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 5W (Tc) |
| Упаковка / | TO-261-4, TO-261AA |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 231 pF @ 100 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 500 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 6.6A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPN50R950 |
Рекомендуемые продукты
-
IPN60R360P7SATMA1
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223Infineon Technologies -
IPN60R2K1CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223Infineon Technologies -
IPN60R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223Infineon Technologies -
IPN60R360PFD7SATMA1
MOSFET N-CH 600V 10A SOT223Infineon Technologies -
IPN60R3K4CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223Infineon Technologies -
IPN50R3K0CE
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIInfineon Technologies -
IPN10ELSXUMA1
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-14Infineon Technologies -
IPN60R1K5CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 5A SOT223Infineon Technologies -
IPN50R800CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223Infineon Technologies -
IPN50R3K0CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223Infineon Technologies -
IPN60R1K5PFD7SATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223Infineon Technologies -
IPN60R2K1CE
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPN104
RISER CARD, 1-TO-1 PCI-E EXPANSIiBASE Technology -
IPN50R650CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 9A SOT223Infineon Technologies -
IPN60R2K0PFD7SATMA1
MOSFET N-CH 600V 3A SOT223Infineon Technologies -
IPN60R1K0PFD7SATMA1
CONSUMER PG-SOT223-3Infineon Technologies -
IPN50R2K0CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223Infineon Technologies -
IPN50R950CE
COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPN103
RISER CARD, 2-TO-2 PCI-E EXPANSIiBASE Technology -
IPN50R1K4CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223Infineon Technologies