IPN80R600P7ATMA1
Номер детали производителя | IPN80R600P7ATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 800V 8A SOT223 |
Упаковка | PG-SOT223 |
В наличии | 130292 pcs |
Техническая спецификация | Mult Dev Pkg Mark Chg 12/Aug/2021 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.723 | $0.648 | $0.521 | $0.428 | $0.354 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 130292 Infineon Technologies IPN80R600P7ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-SOT223 |
Серии | CoolMOS™ P7 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.4A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 7.4W (Tc) |
Упаковка / | TO-261-4, TO-261AA |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 570 pF @ 500 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 800 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 8A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPN80R600 |
Рекомендуемые продукты
-
IPN80R3K3P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223Infineon Technologies -
IPN80R2K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223Infineon Technologies -
IPN95R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 6A SOT223Infineon Technologies -
IPN80R4K5P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223Infineon Technologies -
IPN80R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223Infineon Technologies -
IPN80R900P7ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223Infineon Technologies -
IPN80R2K4P7
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIInfineon Technologies -
IPN80R2K0P7
IPN80R2K0 - 800V COOLMOS N-CHANNInfineon Technologies -
IPN80R750P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 7A SOT223Infineon Technologies -
IPNN-6-6-1/2X13-F
INDEXING PLUNGERJW Winco/Otto Ganter -
IPN80R1K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4A SOT223Infineon Technologies -
IPNN-10-12-M16X1.5-F
INDEXING PLUNGERJW Winco/Otto Ganter -
IPN80R2K0P7ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223Infineon Technologies -
IPNN-5-5-M10X1-F
INDEXING PLUNGERJW Winco/Otto Ganter -
IPN95R2K0P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 4A SOT223Infineon Technologies -
IPN95R3K7P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 2A SOT223Infineon Technologies -
IPN70R900P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 6A SOT223Infineon Technologies -
IPNN-5-5-3/8X16-F
INDEXING PLUNGERJW Winco/Otto Ganter -
IPNN-10-12-5/8X11-F
INDEXING PLUNGERJW Winco/Otto Ganter -
IPN80R1K4P7
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies