Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPN50R3K0CEATMA1
IPN50R3K0CEATMA1 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPN50R3K0CEATMA1

Номер детали производителя IPN50R3K0CEATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223
Упаковка PG-SOT223-3
В наличии 629164 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Pkg Mark Chg 12/Aug/2021
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.194 $0.166 $0.124 $0.097 $0.075
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 629164 Infineon Technologies IPN50R3K0CEATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 30µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-SOT223-3
Серии CoolMOS™ CE
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 400mA, 13V
Рассеиваемая мощность (макс) 5W (Tc)
Упаковка / TO-261-4, TO-261AA
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 84 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 4.3 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 13V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 500 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2.6A (Tc)
Базовый номер продукта IPN50R3

Рекомендуемые продукты

IPN50R3K0CEATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация