Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPN80R1K4P7
Infineon Technologies

IPN80R1K4P7

Номер детали производителя IPN80R1K4P7
производитель Infineon Technologies
Подробное описание N-CHANNEL POWER MOSFET
Упаковка PG-SOT223
В наличии 6617 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6617 Infineon Technologies IPN80R1K4P7 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 70µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-SOT223
Серии CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 7W (Tc)
Упаковка / TO-261-4, TO-261AA
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 250 pF @ 500 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 800 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IPN80R1K4P7 DataSheet PDF