Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > IPG20N06S2L65ATMA1
IPG20N06S2L65ATMA1 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPG20N06S2L65ATMA1

Номер детали производителя IPG20N06S2L65ATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
Упаковка PG-TDSON-8-4
В наличии 262898 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Site Add 10/Feb/2023
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$0.396 $0.354 $0.276 $0.228 $0.18 $0.168
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 262898 Infineon Technologies IPG20N06S2L65ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 14µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TDSON-8-4
Серии Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 15A, 10V
Мощность - Макс 43W
Упаковка / 8-PowerVDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 410pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 12nC @ 10V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 55V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 20A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта IPG20N

Рекомендуемые продукты

IPG20N06S2L65ATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация