Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > IPG20N04S412ATMA1
IPG20N04S412ATMA1 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPG20N04S412ATMA1

Номер детали производителя IPG20N04S412ATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Упаковка PG-TDSON-8-4
В наличии 202341 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019IPG20N04S4 DS Rev 24/Feb/2022
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$0.516 $0.462 $0.36 $0.297 $0.235 $0.219
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 202341 Infineon Technologies IPG20N04S412ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 15µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TDSON-8-4
Серии Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.2mOhm @ 17A, 10V
Мощность - Макс 41W
Упаковка / 8-PowerVDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1470pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 18nC @ 10V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 20A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта IPG20N

Рекомендуемые продукты

IPG20N04S412ATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация