Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > IPG20N10S4L22AATMA1
Infineon Technologies

IPG20N10S4L22AATMA1

Номер детали производителя IPG20N10S4L22AATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
Упаковка PG-TDSON-8-10
В наличии 160567 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Assembly Chg 4/Oct/2018
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$0.658 $0.588 $0.458 $0.379 $0.299 $0.279
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 160567 Infineon Technologies IPG20N10S4L22AATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.1V @ 25µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TDSON-8-10
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 17A, 10V
Мощность - Макс 60W
Упаковка / 8-PowerVDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount, Wettable Flank
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1755pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 27nC @ 10V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 20A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта IPG20N

Рекомендуемые продукты

IPG20N10S4L22AATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация