IPG20N06S2L50AATMA1
| Номер детали производителя | IPG20N06S2L50AATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON |
| Упаковка | PG-TDSON-8-10 |
| В наличии | 216775 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Wafer Test Add 27/Apr/2017 |
Справочная цена (В долларах США)
| 5000 | 10000 |
|---|---|
| $0.184 | $0.177 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 216775 Infineon Technologies IPG20N06S2L50AATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 19µA |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TDSON-8-10 |
| Серии | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 15A, 10V |
| Мощность - Макс | 51W |
| Упаковка / | 8-PowerVDFN |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount, Wettable Flank |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 560pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| FET Характеристика | Logic Level Gate |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 55V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 20A |
| конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Базовый номер продукта | IPG20N |
Рекомендуемые продукты
-
IPG20N04S4L08AATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSONInfineon Technologies -
IPG20N06S2L65AATMA1
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSONInfineon Technologies -
IPG20N06S415ATMA1
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSONInfineon Technologies -
IPG20N04S4L07AATMA1
MOSFET 2N-CH 8TDSONInfineon Technologies -
IPG20N06S2L65ATMA1
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4Infineon Technologies -
IPG20N06S2L50ATMA1
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSONInfineon Technologies -
IPG20N06S4L11ATMA1
MOSFET 2N-CH 8TDSONInfineon Technologies -
IPG20N04S4L11AATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSONInfineon Technologies -
IPG20N06S3L-23
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8Infineon Technologies -
IPG20N06S4L11AATMA1
MOSFET 2N-CH 8TDSONInfineon Technologies -
IPG20N06S415AATMA1
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSONInfineon Technologies -
IPG20N06S2L35ATMA1
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSONInfineon Technologies -
IPG20N06S3L-35
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8Infineon Technologies -
IPG20N06S2L-35AATMA1
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPG20N04S4L11ATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSONInfineon Technologies -
IPG20N04S4L18AATMA1
MOSFET_(20V 40V) PG-TDSON-8Infineon Technologies -
IPG20N04S4L08ATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSONInfineon Technologies -
IPG20N06S415ATMA2
MOSFET 2N-CH 8TDSONInfineon Technologies -
IPG20N06S2L35AATMA1
MOSFET 2N-CH 55V 2A 8TDSONInfineon Technologies -
IPG20N04S4L07ATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSONInfineon Technologies