Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPB65R225C7ATMA2
IPB65R225C7ATMA2 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPB65R225C7ATMA2

Номер детали производителя IPB65R225C7ATMA2
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Упаковка PG-TO263-3
В наличии 73739 pcs
Техническая спецификация Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Справочная цена (В долларах США)
1000 2000 5000
$0.577 $0.548 $0.528
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 73739 Infineon Technologies IPB65R225C7ATMA2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 240µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO263-3
Серии CoolMOS™ C7
Rds On (Max) @ Id, Vgs 225mOhm @ 4.8A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 63W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 996 pF @ 400 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 11A (Tc)
Базовый номер продукта IPB65R225

Рекомендуемые продукты

IPB65R225C7ATMA2 DataSheet PDF

Техническая спецификация