IPB60R299CPAATMA1
Номер детали производителя | IPB60R299CPAATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3 |
Упаковка | PG-TO263-3-2 |
В наличии | 49080 pcs |
Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Wafer Fab Site Addition 10/Jun/2016 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$1.383 | $1.241 | $1.017 | $0.866 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 49080 Infineon Technologies IPB60R299CPAATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-3-2 |
Серии | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299mOhm @ 6.6A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 96W (Tc) |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1100 pF @ 100 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 600 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 11A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPB60R299 |
Рекомендуемые продукты
-
IPB60R280CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3-2Infineon Technologies -
IPB60R299CP
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB60R520CP
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB60R299CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3Infineon Technologies -
IPB60R385CP
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB60R520CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A D2PAKInfineon Technologies -
IPB60R330P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAKInfineon Technologies -
IPB60R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAKInfineon Technologies -
IPB60R360P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 9A D2PAKInfineon Technologies -
IPB60R385CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3Infineon Technologies -
IPB60R380C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAKInfineon Technologies -
IPB60R280P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAKInfineon Technologies -
IPB60R199CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3Infineon Technologies -
IPB60R210CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3Infineon Technologies -
IPB60R230P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 16.8A TO263-3Infineon Technologies -
IPB60R280C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAKInfineon Technologies -
IPB60R380P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAKInfineon Technologies -
IPB60R360CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7A TO263-3Infineon Technologies -
IPB60R250CP
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB60R250CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3Infineon Technologies