Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPB60R280P6ATMA1
IPB60R280P6ATMA1 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPB60R280P6ATMA1

Номер детали производителя IPB60R280P6ATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK
Упаковка PG-TO263-3
В наличии 52437 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500
$1.043 $0.937 $0.754 $0.619
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 52437 Infineon Technologies IPB60R280P6ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.5V @ 430µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO263-3
Серии CoolMOS™ P6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 5.2A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 104W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1190 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 25.5 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 13.8A (Tc)
Базовый номер продукта IPB60R280

Рекомендуемые продукты

IPB60R280P6ATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Loading...