Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPB60R180P7ATMA1
IPB60R180P7ATMA1 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPB60R180P7ATMA1

Номер детали производителя IPB60R180P7ATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
Упаковка PG-TO263-3
В наличии 69581 pcs
Техническая спецификация Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Site Add 10/Mar/2021
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500
$1.071 $0.962 $0.788 $0.671
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 69581 Infineon Technologies IPB60R180P7ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 280µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO263-3
Серии CoolMOS™ P7
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 5.6A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 72W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1081 pF @ 400 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 18A (Tc)
Базовый номер продукта IPB60R180

Рекомендуемые продукты

IPB60R180P7ATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Loading...