IPB65R045C7ATMA2
| Номер детали производителя | IPB65R045C7ATMA2 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3 |
| Упаковка | PG-TO263-3 |
| В наличии | 11242 pcs |
| Техническая спецификация | Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $5.554 | $5.103 | $4.31 | $3.834 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 11242 Infineon Technologies IPB65R045C7ATMA2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 1.25mA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-3 |
| Серии | CoolMOS™ C7 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 24.9A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 227W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 4340 pF @ 400 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 93 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 650 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 46A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPB65R045 |
Рекомендуемые продукты
-
IPB65R050CFD7AATMA1
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB65R041CFD7ATMA1
HIGH POWER_NEWInfineon Technologies -
IPB65R099CFD7AATMA1
MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3Infineon Technologies -
IPB60R600CP
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB65R099C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 38A D2PAKInfineon Technologies -
IPB60R600CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A D2PAKInfineon Technologies -
IPB65R065C7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAKInfineon Technologies -
IPB65R075CFD7AATMA1
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB64N25S320ATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3Infineon Technologies -
IPB65R065C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3Infineon Technologies -
IPB60R520CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A D2PAKInfineon Technologies -
IPB65R110CFD7ATMA1
HIGH POWER_NEWInfineon Technologies -
IPB60R950C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 4.4A D2PAKInfineon Technologies -
IPB60R600P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAKInfineon Technologies -
IPB65R095C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAKInfineon Technologies -
IPB65R095C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3Infineon Technologies -
IPB65R090CFD7ATMA1
HIGH POWER_NEWInfineon Technologies -
IPB60R600C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAKInfineon Technologies -
IPB60R520CP
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB65R045C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 46A D2PAKInfineon Technologies