IPB110P06LMATMA1
Номер детали производителя | IPB110P06LMATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3 |
Упаковка | PG-TO263-3-2 |
В наличии | 33058 pcs |
Техническая спецификация | Power, Sensing Selection Guide 2021OptiMOS Dev A/T Add 3/Feb/2022 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$1.97 | $1.77 | $1.451 | $1.235 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 33058 Infineon Technologies IPB110P06LMATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 5.55mA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-3-2 |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 100A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 300W (Tc) |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 8500 pF @ 30 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 281 nC @ 10 V |
Тип FET | P-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 100A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPB110 |
Рекомендуемые продукты
-
IPB117N20NFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3Infineon Technologies -
IPB120N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB108N15N3G
IPB108N15 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
IPB10N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3Infineon Technologies -
IPB11N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3Infineon Technologies -
IPB110N20N3LFATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3Infineon Technologies -
IPB11N03LA
MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3Infineon Technologies -
IPB110N06L G
MOSFET N-CH 60V 78A TO-263Infineon Technologies -
IPB10N03LB
MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3Infineon Technologies -
IPB107N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAKInfineon Technologies -
IPB100P03P3L-04
P-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB120N04S404ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB120N03S4L03ATMA1
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB107N20NAATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAKInfineon Technologies -
IPB114N03L G
MOSFET N-CH 30V 30A D2PAKInfineon Technologies -
IPB100N12S305ATMA1
MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB120N04S3-02
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB108N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 83A D2PAKInfineon Technologies -
IPB120N04S302ATMA1
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB120N04S401ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAKInfineon Technologies