Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPB110P06LMATMA1
IPB110P06LMATMA1 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPB110P06LMATMA1

Номер детали производителя IPB110P06LMATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3
Упаковка PG-TO263-3-2
В наличии 33058 pcs
Техническая спецификация Power, Sensing Selection Guide 2021OptiMOS Dev A/T Add 3/Feb/2022
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500
$1.97 $1.77 $1.451 $1.235
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 33058 Infineon Technologies IPB110P06LMATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 5.55mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO263-3-2
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 100A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 300W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 8500 pF @ 30 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 281 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 100A (Tc)
Базовый номер продукта IPB110

Рекомендуемые продукты

IPB110P06LMATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация