Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPB110N20N3LFATMA1

Номер детали производителя	IPB110N20N3LFATMA1
производитель	Infineon Technologies
Подробное описание	MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Упаковка	PG-TO263-3
В наличии	17029 pcs
Техническая спецификация	Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500
$3.975	$3.59	$2.972	$2.588

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 17029 Infineon Technologies IPB110N20N3LFATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	4.2V @ 260µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	PG-TO263-3
Серии	OptiMOS™ 3
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 88A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	250W (Tc)
Упаковка /	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	650 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	76 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	88A (Tc)
Базовый номер продукта	IPB110