IPB049NE7N3GATMA1
| Номер детали производителя | IPB049NE7N3GATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK |
| Упаковка | PG-TO263-3 |
| В наличии | 74114 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev EOL 23/Sep/2022Mult Dev Wafer Chgs 22/Dec/2021 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $1.012 | $0.908 | $0.73 | $0.6 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 74114 Infineon Technologies IPB049NE7N3GATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3.8V @ 91µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-3 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 80A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 150W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 4750 pF @ 37.5 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 75 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 80A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPB049 |
Рекомендуемые продукты
-
IPB04N03LAT
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB048N15N5LFATMA1
MOSFET N-CH 150V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB050N06NGATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAKInfineon Technologies -
IPB04N03LB
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB04N03LB G
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB044N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7Infineon Technologies -
IPB050N10NF2SATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPB049N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB048N06LGATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAKInfineon Technologies -
IPB043N10NF2SATMA1
AUTOMOTIVE MOSFETInfineon Technologies -
IPB049N06L3G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB04N03LAG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB04N03LA G
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB048N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3Infineon Technologies -
IPB042N10NF2SATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPB049N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB048N06LG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB04N03LA
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB051NE8NG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB051NE8NGATMA1
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies