IPB048N15N5ATMA1
Номер детали производителя | IPB048N15N5ATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 |
Упаковка | PG-TO263-3-2 |
В наличии | 17690 pcs |
Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Chgs 7/Mar/2022 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$3.329 | $3.007 | $2.49 | $2.168 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 17690 Infineon Technologies IPB048N15N5ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 4.6V @ 264µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-3-2 |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 60A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 300W (Tc) |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 7800 pF @ 75 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 150 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 120A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPB048 |
Рекомендуемые продукты
-
IPB049N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB04N03LAT
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB040N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB042N10NF2SATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
IPB041N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB04N03LAG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB049N06L3G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB048N15N5LFATMA1
MOSFET N-CH 150V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB044N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7Infineon Technologies -
IPB04N03LA
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB042N10N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAKInfineon Technologies -
IPB049NE7N3GATMA1
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB04N03LA G
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB04N03LB
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB049N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB048N06LGATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAKInfineon Technologies -
IPB043N10NF2SATMA1
AUTOMOTIVE MOSFETInfineon Technologies -
IPB042N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 70A D2PAKInfineon Technologies -
IPB048N06LG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB042N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAKInfineon Technologies