Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPB03N03LAG
Infineon Technologies

IPB03N03LAG

Номер детали производителя IPB03N03LAG
производитель Infineon Technologies
Подробное описание N-CHANNEL POWER MOSFET
Упаковка PG-TO263-3-2
В наличии 89077 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
297
$0.379
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 89077 Infineon Technologies IPB03N03LAG в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 100µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO263-3-2
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 55A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 150W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 7027 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 57 nC @ 5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 25 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 80A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IPB03N03LAG DataSheet PDF

Ключевые слова для IPB03N03LAG

Связанные детали для IPB03N03LAG